IntelとMicronが新しい3次元NANDフラッシュメモリを発表

IntelとMicronが新しい3次元NANDフラッシュメモリを発表しました。

IntelとMicronは2015年3月26日に世界最高の高密度フラッシュメモリを実現する3次元構造(3D)のNANDテクノロジーに基づく製品の提供が可能になったと発表しました。

2社が共同開発したこの新しい3D NANDテクノロジーは競合他社のNANDテクノロジーと比較して3倍の容量を備えたストレージを製造可能。より小さいスペースによる多くのストレージ容量を搭載できるため、様々な端末やシステムに大幅なコスト削減、低消費電力化、高パフォーマンスを実現できます。

細かい話は省略しますが、要は今までの3D NANDよりも3倍の容量となるダイあたり最大48GBのNANDを備えており、板ガムサイズのSSDで3.5GB以上、2.5インチSSDで10TB以上の容量を実現できるとのこと。

256ビット MLC 3D NANDは3月26日より一部パートナー向けにサンプル出荷されます。また、384Gビット TLC 3D NANDは今年の春後半にサンプル出荷される予定。製造ラインはすでに初期生産を開始しており、両デバイスは今年第4四半期までに量産出荷される予定です。IntelとMicronの両社はまた、それぞれ個別の3D NANDテクノロジーを採用したSSDソリューションの製造ラインを準備中で、それぞれ来年中に量産製品を提供開始予定です。

現状コンシューマ向けの2.5インチSSDの最大容量は1TBですが、IntelとMicronが共同で開発したこの3次元NANDフラッシュメモリを使用すれば将来10TBのSSDが販売されるかもしれないということです。楽しみですね。

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